Yeni nesil DDR5 belleklerin geçmiştekilere göre çok daha hızlı olacağını biliyoruz. Bu hızlar birçok faktöre bağlı olarak değişebilir. Halihazırda birçok şirket de bu konu üzerinde çalışmalarını yürütüyor. Geçtiğimiz gün bu konuyla ilgili yeni bir rapor yayınlandı. IT Home tarafından yayınlanan rapora göre, Netac Technology adlı Çinli bir bellek firması 10.000 MHz ve üzerinde çalışabilen DDR5 DRAM modülleri üretmeyi planlıyor.
Şirketin bu modeller için Micron’un IFA45 ZPZSB bellek yongalarını kullandığı iddia edilmiş. Bu yongalar Micron’un 1z nm DRAM üretim teknolojisi ile inşa ediliyor ve 40-40-40 alt zamanlama süreleri mevcut. Micron geçen yıl DDR5 belleğinin 6.400 MT/s’ye kadar çıkabildiğini belirtmişti. Şimdi ise yeni nesil DDR5’lerin 10.000 MT/s bandına ulaşacak olmasının gerçekten büyük bir sıçrama olduğu kabul ediliyor.
Netac, üzerinde çalıştığı DDR5 bellekler konusunda son zamanlarda haberlerde yer alan tek şirket değil. Geçtiğimiz günlerde Samsung da dünyanın ilk 512 GB DDR5 modülünü inşa ettiğini duyurmuştu. Samsung’un inşa ettiği DDR5 modülleri Netac’ın yeni nesil DDR5 modülleri kadar hızlı olmayacak. Zira, Samsung’un tasarladığı modüller 7.200 MT/s zirve hızına sahip. Bunun yanında iki şirketin üreteceği modüller arasındaki temel farklardan biri de kullanım amacı olacak. Samsung, 512 GB’lık modüllerini sunucu ve benzeri yüksek performanslı kurumsal ortamlarda kullanılmak üzere tasarlıyor. Netac ise modüllerini daha çok oyun pazarına uygun şekilde geliştiriyor.
Son olarak, yeni nesil 10.000 MHz ve üzerinde çalışan DDR5 DRAM modüllerinin ne zaman kullanıcılar tarafından kullanılmaya başlanacağı hakkında bir bilginin bulunmadığını belirtelim.