Dünyanın en büyük yarı iletken şirketleri arasında bulunan Samsung, sektörün ilk 512 GB DDR5 bellek modülünü geliştirdiğini duyurdu. DDR5 bellek modülünde TSV adı verilen yeni bir teknolojiyi deneyen Samsung, 3D blok silikon yongaları birbirine bağlamak için bu teknolojiden faydalanacak. Böylece daha küçük bir alanda daha yüksek bellek istifleyebilecek olan Güney Koreli şirket, totalde 512 GB kapasitesine ulaşmak için 8 adet 16 GB DRAM’i kullanabilecek.
Samsung’un üreteceği yeni DRAM modülü sadece kapasite açısından değil, hız açısından da yüksek olacak. İddia edilene kadar yeni RAM modülleri 7200 Mbps performansına ulaşabilecekler.
Yüksek depolama kapasitesine sahip RAM modüllerinden süper hesaplama işlemleri, yapay zeka ve makine öğrenimi kullanımında ve veri analizi gibi yoğun bilgi işlem iş yüklerinde faydalanılacak.
Samsung, yüksek kapasite ve hız üzerine yoğunlaşmışken öte yandan güç verimliliğini de atlamamış. Bunun için yeni bellek modüllerinde High-K Metal Gate (HKMG) teknolojisini kullanan şirket, böylece yüzde 13 daha az güç tüketmesini sağlayacak.